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氮化鎵的優勢

       氮化鎵是半導體與微電子產業的新星,其高電子能量的特性使其擁有極高的電能轉換效率和優秀的高頻特性。業界已經公認氮化鎵(GaN)半導體器件產品將統治微波放大和電能轉換領域,市場規模大于150億美元。

 

氮化鎵應用在微波領域的優勢:
更高效率:降低功耗,節省電能,降低散熱成本,降低總運行成本。
更大的寬帶:提高信息攜帶量,用更少的器件實現多頻率覆蓋,降低客戶產品成本。也適用于擴頻通信、電子對抗等領域。
更高的功率:在4GHz以上頻段,可以輸出比砷化鎵高得多的頻率,特別適合雷達、衛星通信、中繼通信等領域。

 

氮化鎵應用在電力電子領域的優勢:
高轉換效率:氮化鎵的禁帶寬度是硅的3倍,擊穿電場是硅的10倍。因此,同樣額定電壓的氮化鎵開關功率器件的導通電阻比硅器件低3個數量級,大大降低了開關的導通損耗。

高工作頻率:氮化鎵開關器件寄生電容小,工作效率可以比硅器件提升至少20倍,大大減小了電路中儲能原件如電容、電感的體積,從而成倍地減小設
備體積,減少銅等貴重原材料的消耗。

高使用環境溫度:氮化鎵的禁帶寬度高達3.4eV,本征電子濃度極低,電子很難被激發,因此氮化鎵器件理論上可以工作在800攝氏度以上的殘酷環境,降低系統使用周期成本。

 

 


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